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三星電子二季度穩(wěn)坐閃存芯片市場第一的份額（圖）
據(jù)韓國媒體報道，全球閃存市場巨頭三星電子第二季度的市場份額仍穩(wěn)居第一寶座。
因日本特大地震，三星與亞軍東芝之間的差距進(jìn)一步拉大，相差12.3個百分點(diǎn)。第一季度屈居第四的海力士，到第二季度甩開美光（Micron），奪回了季軍。而閃存現(xiàn)貨價格（Spot Price）近兩個月里滑落平均10%以上，創(chuàng)下了29個月以來的最低值。
半導(dǎo)體市場調(diào)研機(jī)構(gòu)“DRAMeXchange”3日表示，第二季度閃存市場規(guī)模環(huán)比減少9%，達(dá)48.8億美元，其中三星電子的市場份額達(dá)40.1%（19.59億美元）。其后依次是東芝（13.57億，27.8%）、海力士（6.37億，13.1%）、美光（5.52億美元，11.3%）。
雖然韓國企業(yè)在全球閃存市場上的表現(xiàn)良好，但閃存價格大幅下跌。最具代表性的閃存產(chǎn)品“16Gb 2Gx8 MLC”7月下旬的平均現(xiàn)貨價格為2.74美元，比5月下旬的3.12美元下跌12.2%。這是自2009年2月下旬（2.89美元）后的最低值。其他64Gb、32Gb、8Gb產(chǎn)品價格也都出現(xiàn)了下滑，兩個月里分別下跌13.1%、9.9%和26.3%。
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第一季度三星電子和東芝的市場份額差距只有1.1個百分點(diǎn)，而受到日本地震影響，第二季度東芝的市場份額環(huán)比下滑7.3個百分點(diǎn)。第二季度，三星電子和東芝的市場份額差距達(dá)12.3個百分點(diǎn)。此外，第一季度海力士以10.7%的份額名列第四，但到第二季度，市場份額環(huán)比提高2.4個百分點(diǎn)，趕超美光，奪回了第三名。
半導(dǎo)體可謂是打造三星的一等功臣，三星電子的半導(dǎo)體發(fā)展史是企業(yè)的冒險挑戰(zhàn)精神、董事會的決策、快速的掌握技術(shù)能力以及把握市場動向的敏銳洞察力融匯于一體的結(jié)果。
三星集團(tuán)創(chuàng)始人李秉哲不顧公司眾人反對，毅然決然地于1983年在日本東京正式開始進(jìn)軍半導(dǎo)體行業(yè)。對此他曾經(jīng)表示，三星符合韓國缺乏資源的自然條件，只有開發(fā)高附加值、技術(shù)含量高的產(chǎn)品才能實(shí)現(xiàn)企業(yè)的第二次飛躍。 在此后的10個月內(nèi)，三星電子在世界上第三個推出64K DRAM，這在國內(nèi)外經(jīng)濟(jì)界引起強(qiáng)烈反響。然而，日后由于半導(dǎo)體價格暴跌，企業(yè)在事業(yè)之初陷入困境。
盡管如此，三星的存儲器半導(dǎo)體依然取得了長足的發(fā)展，1992年率先開發(fā)成功64M DRAM，終于在世界上確保了最強(qiáng)的技術(shù)實(shí)力；1993年如愿以償?shù)貥s登存儲器半導(dǎo)體世界第一的寶座。此后于1994年和1996年連續(xù)開發(fā)成功256M和1G DRAM，這同樣擁有‘世界最先開發(fā)’的榮耀，這樣，半導(dǎo)體逐漸成為韓國具有代表性的產(chǎn)業(yè)。2002年NAND Flash位居世界榜首；2006年與2007年分別在世界上率先研制成功50納米級DRAM和30納米級NAND等，三星電子在存儲器領(lǐng)域的占有率超過30%，成為業(yè)界的強(qiáng)者。
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